Kapseln Sie Kunststoff-Transistors,TO-252,B772(PNP)

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ELEKTRISCHE Eigenschaften (@ Ta = 25 sofern nicht anders angegeben)

Parametertest Symbol Bedingungen Min Typ Max Unit

Kollektor-Basis-Durchbruchspannung VCBO IC =-100µA, IE = 0 -40 V

Kollektor-Emitter-Durchschlagsspannung VCEO IC = - 10mA, IB = 0 -30 V

Emitter-Basis-Durchbruchspannung VEBO IE = - 100µA, IC = 0-6 V

Cut-off Kollektorstrom ICBO VCB = - 40V, IE = 0-1 μA

Sammler-Cut-off-aktuelle ICEO VCE = 30V, IB = 0-10 μA

Emitter Cut-off-aktuelle IEBO VEB = 6V, IC = 0-1 μA

Gleichstrom gewinnen hFE VCE = - 2V, IC = - 1A 60 400

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat) IC =-2A, IB = - 0,2a -0,5 V

Basis-Emitter-Sättigungsspannung VBE(sat) IC =-2A, IB = - 0,2A -1,5 V

Übergang Frequenz fT VCE = - 5V, IC =-0,1a 50 80 MHz

f = 10MHz

Klassifizierung von hFE(1)

Rang R O Y GR

Reichweite 60-120 100-200 160-320 200-400